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三星将提高非存储芯片领域投资:与台积电高通竞争 计划投入1514亿美元

发布时间:2021-05-14阅读:844

 

 5月14日消息,据报道,在芯片代工方面,虽然三星电子的份额与台积电相比有不小的差距,但在制程工艺方面,他们是唯一能基本跟上台积电节奏的厂商,7nm 和 5nm 制程工艺,量产时间都只是略晚于台积电。

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  从外媒最新的报道来看,三星电子将提高在芯片代工等非存储芯片领域的投资。

  外媒的报道显示,三星电子在周四表示,到 2030 年,他们将在非存储芯片领域投资 171 万亿韩元,折合约 1514.5 亿美元,较此前计划的 133 万亿韩元有明显增加。

  从外媒的报道来看,三星电子是在一份声明中,宣布他们将加大在非存储芯片领域的投资的。增加投资,是希望在芯片代工方面同台积电展开竞争,与高通在智能手机处理器方面展开竞争。增加投资后,他们就将加速在先进芯片制程工艺方面的研发和生产线的建设。

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