东芝3D闪存芯片：存储容量将提高三成

    目前，越来越多的智能手机厂商，开始大幅度提高手机闪存的容量，市场对于闪存的需求和技术要求越来越高。据悉，日本东芝和韩国三星电子在闪存技术上存在激烈竞争，而东芝领先了一局，该公司即将大规模生产3D闪存。

    据日本经济新闻周六报道，本财年内（明年三月底之前），东芝公司将会投产最新一代的3D闪存，这将领先于闪存老对手三星电子。

    众所周知的是，东芝因为财务丑闻，公司运营陷入了艰难境地，东芝也希望自己占据技术优势的闪存业务，能够提振全公司的表现。

    据报道，在东芝和三星电子目前生产的闪存芯片中，在垂直方向上一共使用了48层芯片，层数的增加，意味着在单位的面积内，闪存芯片的数据容量更大。目前智能手机朝着超薄化发展，手机内部空间十分宝贵，因此闪存芯片密度的提升，对于手机产业有着积极的意义。

    东芝研发的新一代3D闪存芯片，将一共使用64层芯片进行存储，这样存储容量将能够提高三成。

    东芝将会在位于日本三重县的芯片工厂中生产这种最先进的闪存芯片。而就在本周五，这一工厂中一栋新的生产厂房投入使用。

    另据日媒报道，这家位于三重县的芯片工厂，属于东芝和美国Sandisk公司合资运营，不久前，美国西部数据公司收购了Sandisk公司，西部数据表示，将会对日本三重县的工厂增加投资，提高闪存芯片的产量。

    在全球闪存芯片市场，三星电子是毋庸置疑的霸主企业，其市场份额一度超过四成，而日本东芝的份额仅次于三星电子，不过伴随着三星增加闪存投资，其和东芝的闪存市场份额差距正在扩大。

    在过去几年中，除了智能手机、平板电脑带来对于闪存芯片的巨大需求之外，在传统个人电脑市场，古老的机械式硬盘逐渐被闪存芯片组成的固态硬盘所取代，这也大幅度扩大了对于闪存的需求。由于面临闪存存储的取代，近日，老牌硬盘制造商美国希捷公司宣布，将全球裁员6500人。