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SK海力士官宣238层NAND闪存芯片出世

发布时间:2022-08-05阅读:7882

          获悉,世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示,已开发出其最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。

SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。此外,该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

据了解,英特尔(INTC.US)NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm,它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%,仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。

值得一提的是,此前美国竞争对手美光科技(MU.US)在上周宣布,已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。

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