型号参数

• 型号：N0603N-S23-AY
• Renesas Electronics America Inc
• MOSFET N-CH 60V 100A TO262
• 管件: ￥21.20000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 133 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7730 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta），156W（Tc）
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-262
• 封装/外壳: TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA