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IR全新功率MOSFET为通信电源应用提供基准性能


    全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。

    IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工艺,提供基准的导通电阻栅极电荷品质因子 (Rds(on)*Qg figure of merit),以实现更高效率和功率密度,并且提高系统可靠性。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IRFH7185TRPbF提供超低导通电阻,并且比同类型器件的栅极电荷显著降低,所以从轻载到满载都能达到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩电流密度达20%,为DC-DC通信电源提供行业最坚固耐用的解决方案。”

    IR FastIRFET器件可与各种控制器或驱动器配合使用,从而使设计更灵活,在更小的占位面积实现更高的电流、效率和频率。IRFH7185TRPbF达到工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准,并采用了行业标准封装5x6 PQFN,所采用的材料环保,不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

    规格

 

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