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型号参数
- 型号：UMB1NTN
- Rohm Semiconductor
- TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
- 电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
- 电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 56 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 500μA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
- 频率 - 跃迁: -
- 功率 - 最大值: 150mW
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装: UMT6
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UMB1NTN库存相关
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这里有UMB1NTN中英文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能，介绍UMB1NTN是什么样的芯片。
UMB1NTN制造商: Rohm Semiconductor 功能描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6UMB1NTN库存相关
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