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型号参数
- 型号：SI4288DY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
- 剪切带（CT）: ￥11.14000,卷带（TR）: ￥5.06878
- 产品状态: 在售
- FET 类型: 2 N-通道（双）
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）: 40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 15nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 580pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 3.1W
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装: 8-SOIC
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SI4288DY-T1-GE3型号价格
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SI4288DY-T1-GE3制造商: Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOSI4288DY-T1-GE3库存相关
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