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型号参数
- 型号：PMF170XP,115
- Nexperia USA Inc.
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
- 剪切带（CT）: ￥3.23000,卷带（TR）: ￥0.57124
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.15V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 3.9 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）: ±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 280 pF @ 10 V
- FET 功能: -
- 功率耗散（最大值）: 290mW（Ta），1.67W（Tc）
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: SOT-323
- 封装/外壳: SC-70，SOT-323
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PMF170XP,115型号价格
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PMF170XP,115制造商: Nexperia USA Inc. 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A SOT323PMF170XP,115库存相关
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