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型号参数
- 型号：MSCSM70VM19C3AG
- Microchip Technology
- PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- 管件: ￥1,308.84667
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- FET 类型: 2 N 沟道（相角）
- FET 功能: 碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）: 700V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 124A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19 毫欧 @ 40A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 215nC @ 20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4500pF @ 700V
- 功率 - 最大值: 365W（Tc）
- 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型: 底座安装
- 封装/外壳: 模块
- 供应商器件封装: SP3F
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MSCSM70VM19C3AG型号价格
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MSCSM70VM19C3AG制造商: Microchip Technology 功能描述:PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3FMSCSM70VM19C3AG库存相关
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