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型号参数
- 型号：IRFSL9N60APBF
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
- 管件: ￥22.96000
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 750 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 49 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）: ±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF @ 25 V
- FET 功能: -
- 功率耗散（最大值）: 170W（Tc）
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 供应商器件封装: I2PAK
- 封装/外壳: TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
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IRFSL9N60APBF型号价格
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IRFSL9N60APBF制造商: Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAKIRFSL9N60APBF库存相关
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