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型号参数
- 型号：IRFRC20TRPBF-BE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- 剪切带（CT）: ￥10.37000,卷带（TR）: ￥4.70488
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.4 欧姆 @ 1.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）: ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 350 pF @ 25 V
- FET 功能: -
- 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），42W（Tc）
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: TO-252AA
- 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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IRFRC20TRPBF-BE3型号价格
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IRFRC20TRPBF-BE3制造商: Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAKIRFRC20TRPBF-BE3库存相关
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