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型号参数
- 型号：IRFDC20PBF
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
- 管件: ￥18.20000
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.4 欧姆 @ 190mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）: ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 350 pF @ 25 V
- FET 功能: -
- 功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 供应商器件封装: 4-HVMDIP
- 封装/外壳: 4-DIP（0.300"，7.62mm）
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IRFDC20PBF型号价格
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这里有IRFDC20PBF中英文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能，介绍IRFDC20PBF是什么样的芯片。
IRFDC20PBF制造商: Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIPIRFDC20PBF库存相关
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