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型号参数
- 型号：IRF3808STRLPBF
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 剪切带（CT）: ￥26.96000,卷带（TR）: ￥16.94891
- 产品状态: 在售
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 106A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 82A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 220 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）: ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5310 pF @ 25 V
- FET 功能: -
- 功率耗散（最大值）: 200W（Tc）
- 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: D2PAK
- 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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IRF3808STRLPBF型号价格
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IRF3808STRLPBF制造商: Infineon Technologies 功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAKIRF3808STRLPBF库存相关
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