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型号参数
- 型号：FQP19N20C
- onsemi
- MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
- 管件: ￥13.44000
- 产品状态: 最后售卖
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 170 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 53 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）: ±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1080 pF @ 25 V
- FET 功能: -
- 功率耗散（最大值）: 139W（Tc）
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 供应商器件封装: TO-220-3
- 封装/外壳: TO-220-3
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FQP19N20C型号价格
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这里有FQP19N20C中英文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能，介绍FQP19N20C是什么样的芯片。
FQP19N20C制造商: onsemi 功能描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3FQP19N20C库存相关
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