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型号参数
- 型号：ECH8697R-TL-W
- onsemi
- MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28
- 剪切带（CT）: ￥5.22000,卷带（TR）: ￥1.84107
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）: 24V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.6 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
- 功率 - 最大值: 1.5W
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8
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ECH8697R-TL-W型号价格
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ECH8697R-TL-W制造商: onsemi 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28ECH8697R-TL-W库存相关
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