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型号参数
- 型号：BUK9Y8R7-60E,115
- Nexperia USA Inc.
- MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
- 剪切带（CT）: ￥10.60000,卷带（TR）: ￥4.81384
- 产品状态: 在售
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 86A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 31 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）: ±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4570 pF @ 25 V
- FET 功能: -
- 功率耗散（最大值）: 147W（Tc）
- 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
- 封装/外壳: SC-100，SOT-669
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BUK9Y8R7-60E,115型号价格
生产厂家：Nexperia USA Inc.，您想知道BUK9Y8R7-60E,115参考价格是多少？参考价：剪切带（CT）: ￥10.60000,卷带（TR）: ￥4.81384。这里提供今年最近走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUK9Y8R7-60E,115批发价格及采购报价，BUK9Y8R7-60E,115销售排行榜F:\liu\ic72ey}}中英文资料 datasheet PDF
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BUK9Y8R7-60E,115制造商: Nexperia USA Inc. 功能描述:MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56BUK9Y8R7-60E,115库存相关
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