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型号参数
- 型号：1N5627-TR
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
- 剪切带（CT）: ￥8.68000,卷带（TR）: ￥3.95365
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 二极管类型: 雪崩
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 800 V
- 电流 - 平均整流 (Io): 3A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
- 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr): 7.5 μs
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 μA @ 800 V
- 不同?Vr、F 时电容: 60pF @ 4V，1MHz
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: SOD-64，轴向
- 供应商器件封装: SOD-64
- 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
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1N5627-TR型号价格
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这里有1N5627-TR中英文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能，介绍1N5627-TR是什么样的芯片。
1N5627-TR制造商: Vishay General Semiconductor - Diodes Division 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD641N5627-TR库存相关
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