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AT-42010
型号：AT-42010
描述：Agilent Technologies
厂商：Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
PDF大小：42 K
页数：1 页
型号AT-42010参数
- Broadcom Limited
- RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
- 频率 - 跃迁: 8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
- 增益: 10dB ~ 13.5dB
- 功率 - 最大值: 600mW
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 @ 35mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80mA
- 工作温度: 200°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 4-SMD（100 密耳）
- 供应商器件封装: -
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT-42010-TR1
|
| 1000 | AGILENT | SMT-10 | 10+ | - | |
| AT-42010-TR1
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| 1000 | AGILENT | SMT-10 | 10+ | - |
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