型号ALD114935SAL参数

• Advanced Linear Devices Inc.
• MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
• 管件: ￥36.87620
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 N 沟道（双）配对
• FET 功能: 耗尽模式
• 漏源电压（Vdss）: 10.6V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 540 欧姆 @ 0V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.45V @ 1μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V
• 功率 - 最大值: 500mW
• 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装: 8-SOIC