你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

 型号ALD114935SAL参数

  • Advanced Linear Devices Inc.
  • MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
  • 管件: ¥36.87620
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: 2 N 沟道(双)配对
  • FET 功能: 耗尽模式
  • 漏源电压(Vdss): 10.6V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA,3mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 欧姆 @ 0V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.45V @ 1μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2.5pF @ 5V
  • 功率 - 最大值: 500mW
  • 工作温度: 0°C ~ 70°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SOIC
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
ALD1106DB

1000 Advanced Linear Devices Datasheet 07+ -

留言

ALD1106DB

1000 Advanced Linear Devices Datasheet 07+ -

点击这里给我发送消息

留言

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30