型号2SK1958-T1-A参数

• Renesas
• 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET
• 散装: ￥0.41621
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 16 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 10μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• Vgs（最大值）: ±7V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10 pF @ 3 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 150mW（Ta）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 8-MMPAK
• 封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）