型号PMGD8000LN,115参数

• NXP USA Inc.
• MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
• 产品状态: 停产
• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 125mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 100μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 0.35nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 18.5pF @ 5V
• 功率 - 最大值: 200mW
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装: 6-TSSOP