型号NTMD6P02R2SG参数

• onsemi
• MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 35nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700pF @ 16V
• 功率 - 最大值: 750mW
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装: 8-SOIC