型号CMUDM8005 TR PBFREE参数

• Central Semiconductor Corp
• MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523
• 剪切带（CT）: ￥6.84000,卷带（TR）: ￥2.64590
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 650mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 360 毫欧 @ 350mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 1.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）: 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 100 pF @ 16 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 300mW（Ta）
• 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: SOT-523
• 封装/外壳: SOT-523