型号CMRDM3575 TR PBFREE参数

• Central Semiconductor Corp
• MOSFET N/P-CH 20V SOT963
• 剪切带（CT）: ￥3.46000,卷带（TR）: ￥1.15146
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA，140mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 0.46nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9pF @ 15V
• 功率 - 最大值: 125mW
• 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-963
• 供应商器件封装: SOT-963