型号CJ3139KDW-G参数

• Comchip Technology
• MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
• 剪切带（CT）: ￥3.07000,卷带（TR）: ￥1.08326
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 660mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 520 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 170pF @ 16V
• 功率 - 最大值: 150mW
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装: SOT-363