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SUD50N02-04P

型号:SUD50N02-04P

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET

PDF大小:- K

页数:- 页

 型号SUD50P10-43L-GE3参数

  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
  • 剪切带(CT): ¥21.35000,卷带(TR): ¥10.86063
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37.1A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43 毫欧 @ 9.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 160 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4600 pF @ 50 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 8.3W(Ta),136W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: TO-252
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
SUD50N02-04P-E3

500 - - 最新批号 最新供应

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