型号SUP60061EL-GE3参数

• Vishay Siliconix
• P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
• 散装: ￥30.87000
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 218 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9600 pF @ 40 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-220AB
• 封装/外壳: TO-220-3