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STD9NM60-1

型号:STD9NM60-1

描述:ST Microelectronics

厂商:N-Channel 600 V-0.55 ohm-8.3 A IPAK Zener-Protected MDmesh Power MOSFET

PDF大小:337 K

页数:9 页

 型号STD9NM40N参数

  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
  • 卷带(TR): ¥7.51392
  • 产品状态: 不适用于新设计
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 790 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 365 pF @ 50 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 60W(Tc)
  • 工作温度: 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: DPAK
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
STD9NM60-1

500 - - 最新批号 最新供应

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