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STD3NA50-1

型号:STD3NA50-1

描述:ST Microelectronics

厂商:N - Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

PDF大小:364 K

页数:10 页

 型号STD3NK90ZT4参数

  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
  • 剪切带(CT): ¥18.74000,卷带(TR): ¥10.08890
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 900 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 22.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 590 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 90W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: TO-252(D-Pak)
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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1000 ST 原装 |TO-251 最新批次 -

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