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STB30NS15T4

型号:STB30NS15T4

描述:ST Microelectronics

厂商:N-Channel 150 V - 0.075 ohm - 30 A D2PAK Low Gate Charge STripFET Power MOSFET

PDF大小:342 K

页数:9 页

 型号STB3NK60ZT4参数

  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
  • 剪切带(CT): ¥7.22000,卷带(TR): ¥3.48095
  • 产品状态: 不适用于新设计
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 11.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 311 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 45W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: D2PAK
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
STB30NS15T4

1000 ST 原装 |TO-263 最新批次 -

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