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STB1606-220M

型号:STB1606-220M

描述:TAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.

厂商:On-Board Type Coil/Chip Inductor

PDF大小:1266 K

页数:1 页

 型号STB19NM65N参数

  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
  • 剪切带(CT): ¥44.77000
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 270 毫欧 @ 7.75A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 55 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF @ 50 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 150W(Tc)
  • 工作温度: 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: D2PAK
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
STB1606-220M

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