型号STP9NM60N参数

• STMicroelectronics
• MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
• 管件: ￥21.73000
• 产品状态: 不适用于新设计
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 452 pF @ 50 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 70W（Tc）
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-220
• 封装/外壳: TO-220-3