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 型号STP1N105K3参数

  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
  • 管件: ¥11.98000
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 1050 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 欧姆 @ 600mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 13 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180 pF @ 100 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 60W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 供应商器件封装: TO-220
  • 封装/外壳: TO-220-3
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
STP12G1VX

500 - - 最新批号 原装现货

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