型号STL3NM60N参数

• STMicroelectronics
• MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
• 剪切带（CT）: ￥19.28000,卷带（TR）: ￥10.40790
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 650mA（Ta），2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 188 pF @ 50 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 2W（Ta），22W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: PowerFlat?（3.3x3.3）
• 封装/外壳: 8-PowerVDFN