型号SSM6P69NU,LF参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
• 剪切带（CT）: ￥3.46000,卷带（TR）: ￥1.23087
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
• FET 功能: 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 6.74nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 480pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 1W（Ta）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
• 供应商器件封装: 6-μDFN（2x2）