型号SSM5H16TU,LF参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
• 剪切带（CT）: ￥3.84000,卷带（TR）: ￥1.10121
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 133 毫欧 @ 1A，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 1.9 nC @ 4 V
• Vgs（最大值）: ±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 123 pF @ 15 V
• FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: UFV
• 封装/外壳: 6-SMD（5引线），扁引线