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 型号SSM5H16TU,LF参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
  • 剪切带(CT): ¥3.84000,卷带(TR): ¥1.10121
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.9A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 133 毫欧 @ 1A,4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 1.9 nC @ 4 V
  • Vgs(最大值): ±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 123 pF @ 15 V
  • FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
  • 工作温度: 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: UFV
  • 封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
SSM551SL

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