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 型号SPD09P06PLGBTMA1参数

  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
  • 剪切带(CT): ¥8.75000,卷带(TR): ¥4.42960
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 @ 6.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 21 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 42W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: PG-TO252-3
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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SPD07N60C3

6000 INFINEON - - -

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