型号SPB42N03S2L-13参数

• Infineon Technologies
• MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
• 剪切带（CT）: ￥4.30000
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.6 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 37μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1130 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: PG-TO263-3-2
• 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB