型号SPB18P06PGATMA1参数

• Infineon Technologies
• MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
• 剪切带（CT）: ￥12.98000,卷带（TR）: ￥6.55378
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 130 毫欧 @ 13.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 860 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 81.1W（Ta）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: PG-TO263-3
• 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB