型号SP8K80TB1参数

• Rohm Semiconductor
• 10V DRIVE NCH+NCH MOSFET: COMPLE
• 卷带（TR）: ￥6.35902
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 500V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.7 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 3.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 23.5pF @ 25V
• 功率 - 最大值: 2W（Ta）
• 工作温度: -
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装: 8-SOP