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 型号SN7002WH6327XTSA1参数

  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
  • 剪切带(CT): ¥3.23000,卷带(TR): ¥0.60454
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 @ 230mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 26μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 1.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 45 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: PG-SOT323
  • 封装/外壳: SC-70,SOT-323

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