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型号:Si7862DP

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:N-Channel 16-V (D-S) MOSFET

PDF大小:46 K

页数:4 页

 型号SI7898DP-T1-GE3参数

  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
  • 剪切带(CT): ¥17.97000,卷带(TR): ¥9.12381
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 21 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 1.9W(Ta)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳: PowerPAK? SO-8

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