型号SI7540DP-T1-GE3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A，5.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 17nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• 功率 - 最大值: 1.4W
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: PowerPAK? SO-8 双
• 供应商器件封装: PowerPAK? SO-8 双