型号SI6562DQ-T1-GE3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 600mV @ 250μA（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 25nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• 功率 - 最大值: 1W
• 工作温度: -
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装: 8-TSSOP