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 型号SI6423DQ-T1-GE3参数

  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
  • 剪切带(CT): ¥14.21000,卷带(TR): ¥7.22268
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 800mV @ 400μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 110 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值): ±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 1.05W(Ta)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: 8-TSSOP
  • 封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
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