型号SI4599DY-T1-GE3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
• 剪切带（CT）: ￥7.30000,卷带（TR）: ￥2.91455
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A，5.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35.5 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 20nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 640pF @ 20V
• 功率 - 最大值: 3W，3.1W
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装: 8-SOIC