型号SI4396DY-T1-GE3参数

• Vishay Siliconix
• MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
• 剪切带（CT）: ￥6.83000
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1675 pF @ 15 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），5.4W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 8-SOIC
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）