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 型号SI3850ADV-T1-GE3参数

  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: N 和 P 沟道,共漏
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A,960mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 1.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
  • 功率 - 最大值: 1.08W
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装: 6-TSOP
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
SI3863DV-T1替代型号:SI3863BDV-T1

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SI3863DV-T1-E3

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