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Si3588DV-E3

型号:Si3588DV-E3

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

PDF大小:- K

页数:- 页

 型号SI3590DV-T1-GE3参数

  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  • 剪切带(CT): ¥7.30000,卷带(TR): ¥2.91455
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 和 P 沟道
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A,1.7A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 77 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 4.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
  • 功率 - 最大值: 830mW
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装: 6-TSOP
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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